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存储器领域的出色产品
PM983 1.92T U.2(尾缀:00003)
采用了PCIe 3.0 接口标准和高效的NVME协议，对主机系统的即时响应性能非常出色 支持PLP功能，PLP方案可以保证在突然断电情况下，主机系统发出的数据写入存储介质而不会有任何损失 耐用等级（终身写入）2733 TBW/1.3 DWPD 故障间的平均时间（MTBF）2,000,000 Hours
PM863 960G
可为各种数据中心应用程序提供高度优化的性能 采用了3D V-NAND先进技术，使得密度更高，性能更好，而占用的空间更小 断电保护，数据安全稳定 耐用等级（终身写入）1.3 DWPD
PM883 3.84T
适用于各种服务器，包括万维网 (Web)、流式处理、应用程序和高速缓存服务器 采用LPDDR4 DRAM内存作为缓存颗粒，搭载了64层3D TLC NAND先进技术 耐用等级（终身写入）5466 TBW/1.3DWPD 故障间的平均时间（MTBF）2,000,000 Hours
PM883 1.92T
耐用等级（终身写入）2733 TBW/1.3DWPD 故障间的平均时间（MTBF）2,000,000 Hours
适用于各种服务器，包括万维网 (Web)、流式处理、应用程序和高速缓存服务器 采用LPDDR4 DRAM内存作为缓存颗粒，搭载了64层3D TLC NAND先进技术
PM863a 1.92T
可为各种数据中心应用程序提供高度优化的性能 采用了3D V-NAND先进技术，使得密度更高，性能更好，而占用的空间更小 断电保护，数据安全稳定 耐用等级（终身写入）1.3 DWPD
PM1725b 1.6T U.2 零售版
采用了三星创新的 3D 垂直 NAND（V-NAND）闪存和优化的控制器 提供最高级别的随机读取速度和超低延迟率 高容量、高速度、低延迟 耐用等级（终身写入）8.76PBW/3DWPD 故障间的平均时间（MTBF）2,000,000 Hours
PM1725b 1.6T U.2 惠普版
采用了三星创新的 3D 垂直 NAND（V-NAND）闪存和优化的控制器 提供最高级别的随机读取速度和超低延迟率 高容量、高速度、低延迟 耐用等级（终身写入）8.76PBW/3DWPD 故障间的平均时间（MTBF）2,000,000 Hours
PM1725b 1.6T 半高卡式 惠普版
采用了三星创新的 3D 垂直 NAND（V-NAND）闪存和优化的控制器 提供最高级别的随机读取速度和超低延迟率 高容量、高速度、低延迟 耐用等级（终身写入）8.76PBW/3DWPD 故障间的平均时间（MTBF）2,000,000 Hours